ルネサスエレが逆行高、東京電力ＨＤのデータセンター事業参入観測を受け新ＧａＮパワー半導体に期待強まる

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2025年07月02日

ルネサスエレが逆行高、東京電力ＨＤのデータセンター事業参入観測を受け新ＧａＮパワー半導体に期待強まる

■新たなプロセス「第４世代プラス」を用いた新ＧａＮパワー半導体を提供開始

　ルネサスエレクトロニクス＜６７２３＞（東証プライム）は７月２日、次第に上げ幅を広げる相場となり、午前１１時にかけては半導体関連株が総じて反落模様の中で５％高の１８５１．５円（７９．５円高）前後で売買され、出直りを強めている。「ＧａＮパワー半導体の新製品を、ＡＩサーバ、産業機器、充電システムなどに向けて提供開始」とのリリースを１日に発表しており、「東京電力がデータセンター事業参入へ…『新しい本業』位置付け、新たな収益の柱に」（読売新聞オンライン７月１日朝）と伝えられたことと合わせて期待材料視されている。

　発表によると、このＡＩサーバーなど用の新製品は、オン抵抗と出力容量の積に基づく性能指数（ＦＯＭ）の２０％低減などが実現できる新たなプロセス「第４世代プラス（Ｇｅｎ　Ⅳ　Ｐｌｕｓ）」を採用して電力効率を向上させた。このたび量産を開始した。また、東京電力ホールディングス＜９５０１＞（東証プライム）は、策定中の再建計画・総合特別事業計画の中でデータセンター（ＤＣ）事業を「新しい本業」と位置付ける方針で、２０２７年度にもＤＣ事業に本格参入する見通しと伝えられた。（ＨＣ）

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