![株式投資情報ブログ 証券オンライン]ＲＳＳ](https://syoukenn.up.seesaa.net/image/rssi.gif){kind=small}
ローム＜６９６３＞（東証プライム）は４月２１日、第５世代ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの開発を発表した。ｘＥＶ用トラクションインバータやＡＩサーバー電源、データセンター向け電源などの用途を想定し、高温動作時（Ｔｊ＝１７５℃）におけるオン抵抗を従来の第４世代比で約３０％低減した点が特徴である。素子構造の見直しと製造プロセス最適化により、同耐圧・同チップサイズ条件での性能向上を実現し、高温環境下での小型化や高出力化に寄与する。
第５世代品は２０２５年からベアチップサンプル提供を開始し、２０２６年３月に開発を完了した。２０２６年７月からはディスクリートおよびモジュール製品のサンプル提供を予定している。今後はラインアップ拡充に加え、設計ツールの充実やアプリケーション設計支援体制の強化にも取り組む方針である。
生成ＡＩや大規模データ処理の普及に伴い、電力密度の上昇や電力需給の逼迫が課題となる中、損失低減と高効率化を両立するＳｉＣデバイスの重要性が高まっている。ロームは２０１０年に世界で初めてＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの量産を開始し、第４世代製品で車載・産業用途における採用実績を拡大してきた。今回の第５世代は業界トップクラスの低損失性能を実現し、電動車やスマートグリッドなど大電力アプリケーションのさらなる普及を後押しする。
◎日刊株式投資情報新聞（無料）登録受付中！
